ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > TPH11006NL,LQ
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TPH11006NL,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH11006NL,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH11006NL,LQ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 17A(Tc) 1.6W(Ta),34W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)。您可以下载TPH11006NL,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPH11006NL,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH11006NL |
产品图片 | |
产品型号 | TPH11006NL,LQ |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 200µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11.4 毫欧 @ 8.5A, 10V |
供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
其它名称 | TPH11006NLLQDKR |
功率-最大值 | 1.6W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |