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Datasheet下载- 型号： TPH11003NL,LQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPH11003NL,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH11003NL,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH11003NL,LQ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta） 1.6W（Ta），21W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）。您可以下载TPH11003NL,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPH11003NL,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPH11003NL,LQ 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 TPH11003NL,LQ 常用于电源管理电路中，作为开关元件控制电流的通断。它可以在 DC-DC 转换器、线性稳压器等电路中使用，帮助实现高效的电压转换和稳压功能。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以减少功率损耗，提高电源效率。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，TPH11003NL,LQ 可以用作驱动信号的放大和传输元件。例如，在步进电机、直流无刷电机（BLDC）等控制系统中，MOSFET 可以通过 PWM（脉宽调制）信号来调节电机的速度和扭矩，确保电机运行平稳且高效。 3. 负载切换 该 MOSFET 还可用于负载切换电路中，尤其是在需要频繁开启或关闭大电流负载的情况下。例如，在汽车电子系统、工业自动化设备中，TPH11003NL,LQ 可以快速响应负载变化，保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，TPH11003NL,LQ 可以用于电池充放电控制，防止过充或过放现象。它还可以用于电池均衡电路中，确保多个串联电池单元之间的电压一致，延长电池寿命。 5. 消费电子产品 在消费电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等中，TPH11003NL,LQ 可用于电源管理模块，提供稳定的电源输出，同时降低功耗，延长设备的续航时间。 6. 工业控制 在工业控制系统中，TPH11003NL,LQ 可以用于各种传感器接口、执行器控制等场合。它的高可靠性和稳定性使其能够在恶劣环境下长期稳定工作。 总之，TPH11003NL,LQ 凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换、电池管理、消费电子以及工业控制等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 510 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 30V 32A 8SOPMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPH11003NL,LQ- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TPH11003NL&lang=en&type=datasheet |
| 产品型号 | TPH11003NL,LQTPH11003NL,LQ |
| Pd-PowerDissipation | 21 W |
| Pd-功率耗散 | 21 W |
| Qg-GateCharge | 7.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
| 上升时间 | 2.1 ns |
| 下降时间 | 1.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 5.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
| 其它名称 | TPH11003NLLQDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 13.5 ns |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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