Datasheet下载- 型号： TPD4EUSB30DQAR
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
TPD4EUSB30DQAR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPD4EUSB30DQAR由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPD4EUSB30DQAR价格参考￥1.75-￥4.33。Texas InstrumentsTPD4EUSB30DQAR封装/规格：TVS - 二极管， 8V Clamp 1A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount 10-USON (2.5x1)。您可以下载TPD4EUSB30DQAR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPD4EUSB30DQAR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 5.5VWM 8VC 10SONESD 抑制器 4Ch ESD SOLUTION |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | http://www.ti.com/lit/gpn/tpd4eusb30 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Texas Instruments TPD4EUSB30DQAR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TPD4EUSB30DQAR |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | ESD 抑制器 |
| 供应商器件封装 | 10-SON （2.5x1） |
| 其它名称 | 296-28063-2 |
| 击穿电压 | 7 V |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=TPD4EUSB30DQAR |
| 功率-峰值脉冲 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 4 |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 10-UFDFN |
| 封装/箱体 | USON-10 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C （TA） |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 85 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.8 V |
| 电压-击穿（最小值） | 7V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5.5V（最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 8V |
| 电容 | 0.05 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1A（8/20µs） |
| 电流额定值 | 5 A |
| 电源线路保护 | 是 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 转向装置（轨至轨） |
| 系列 | TPD4EUSB30 |
| 通道 | 4 Channels |
| 钳位电压 | 8 V |
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
