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  • 型号: TPCA8128,LQ(CM
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPCA8128,LQ(CM由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPCA8128,LQ(CM价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPCA8128,LQ(CM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPCA8128,LQ(CM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPCA8128,LQ(CM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP-ADVMOSFET P-CH FET -30V 3.7 mOhm 45W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 34 A

Id-连续漏极电流

- 34 A

品牌

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba TPCA8128,LQ(CM-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPCA8128点击此处下载产品Datasheet

产品型号

TPCA8128,LQ(CMTPCA8128,LQ(CM

Pd-PowerDissipation

45 W

Pd-功率耗散

45 W

Qg-GateCharge

115 nC

Qg-栅极电荷

115 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

上升时间

11 ns

下降时间

135 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 500µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4800pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

115nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.8 毫欧 @ 17A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP 高级

其它名称

TPCA8128LQ(CM
TPCA8128LQCM

典型关闭延迟时间

390 ns

功率-最大值

45W

包装

带卷 (TR)

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

3.7 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

SOP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

- 34 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

34A (Ta)

通道模式

Enhancement

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