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Datasheet下载- 型号： TPC8111(TE12L,Q,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPC8111(TE12L,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPC8111(TE12L,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPC8111(TE12L,Q,M)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPC8111(TE12L,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPC8111(TE12L,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的TPC8111（TE12L, Q, M）是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品。其应用场景主要集中在以下几个方面： 1. 电源管理：TPC8111适用于各种电源管理电路中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。由于其低导通电阻和快速开关特性，可以有效降低功耗并提高效率。 2. 电机驱动：该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。它能够提供足够的电流输出，并且具有良好的热性能，确保长时间稳定运行。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭负载的应用中，如LED照明、汽车电子设备等，TPC8111可以用作负载切换开关。它的快速响应速度有助于减少开关过程中的能量损失。 4. 信号放大与处理：作为信号路径上的关键元件之一，TPC8111可以用于音频放大器、传感器接口以及其他需要高性能信号处理的地方。 5. 保护电路：在过流保护、短路保护及逆向电池保护等方面也有广泛用途。通过精确控制栅极电压，可以实现对异常情况的有效防护。 6. 消费类电子产品：包括智能手机充电器、平板电脑适配器、笔记本电脑内部电路等场合都可能用到此类器件。 总之，TPC8111凭借其优异的电气特性和可靠性，在众多领域内都有着重要的应用价值。具体选择时还需根据实际需求考虑其他参数如工作温度范围、封装形式等因素。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TPC8111&lang=en&type=datasheet点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPC8111(TE12L,Q,M) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5710pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 107nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP（5.5x6.0） |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
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