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Datasheet下载- 型号： TPC6012(TE85L,F,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPC6012(TE85L,F,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPC6012(TE85L,F,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPC6012(TE85L,F,M)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPC6012(TE85L,F,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPC6012(TE85L,F,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6A VS6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPC6012点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TPC6012(TE85L,F,M) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | VS-6（2.9x2.8） |
| 其它名称 | TPC6012(TE85LFM) |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
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