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Datasheet下载- 型号： TLP785(F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TLP785(F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TLP785(F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TLP785(F)封装/规格：光隔离器 - 晶体管，光电输出， 光隔离器 晶体管 输出 5000Vrms 1 通道 4-DIP。您可以下载TLP785(F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TLP785(F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的TLP785(F)是一款光隔离器，采用晶体管光电输出设计。它具有高隔离电压、低输入电流和快速响应时间等特性，适用于多种工业和商业应用场景。 1. 电力系统中的信号隔离 TLP785(F)常用于电力系统中的信号隔离，特别是在高压环境下的信号传输。例如，在变电站、配电柜等场景中，设备之间的通信需要可靠的电气隔离以防止高压干扰或损坏低电压电路。TLP785(F)能够有效隔离高低压侧的信号，确保系统的安全性和稳定性。 2. 工业自动化控制系统 在工业自动化领域，TLP785(F)广泛应用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和驱动电路中。它可以通过光耦合的方式将输入信号与输出信号隔离，避免了噪声干扰和电位差带来的问题。此外，其快速响应时间使得它能够在高速控制回路中保持良好的性能。 3. 电机驱动与逆变器 TLP785(F)也适用于电机驱动和逆变器电路中，尤其是在变频器的设计中。由于这些设备通常工作在高频和大电流环境下，传统的电气连接容易受到电磁干扰（EMI）的影响。通过使用TLP785(F)，可以实现输入控制信号与功率级电路的有效隔离，确保系统的可靠运行。 4. 医疗设备 在医疗设备中，如心电图机、超声波仪器等，TLP785(F)用于隔离患者端和设备端的电路，防止任何可能的漏电或干扰对患者造成伤害。同时，它还能保护敏感的电子元件免受外部干扰，确保测量结果的准确性。 5. 通信设备 在通信设备中，TLP785(F)可用于隔离不同模块之间的信号传输，尤其是在长距离通信或存在强电磁干扰的环境中。它能够确保信号的完整性和可靠性，减少误码率，并提高整个通信系统的抗干扰能力。 总结 TLP785(F)凭借其优异的隔离性能、快速响应时间和低功耗特性，广泛应用于电力系统、工业自动化、电机驱动、医疗设备以及通信设备等领域。它不仅能够提供有效的电气隔离，还能增强系统的稳定性和安全性，是众多应用场景中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP晶体管输出光电耦合器 Photo-IC 60mA 80V 5000 Vrms 8000 Vpk |
| 产品分类 | 光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Toshiba TLP785(F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP785F点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | TLP785(F)TLP785(F) |
| Vce饱和值（最大值） | 400mV |
| 上升/下降时间（典型值） | 2µs， 3µs |
| 产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 供应商器件封装 | 4-DIP |
| 其它名称 | TLP785F |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | DIP-4 |
| 工作温度 | -55°C ~ 110°C |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 打开/关闭时间（典型值） | 3µs， 3µs |
| 最大上升时间 | 2 us |
| 最大下降时间 | 3 us |
| 最大功率耗散 | 240 mW |
| 最大反向二极管电压 | 5 V |
| 最大工作温度 | + 110 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.3 V |
| 最大输入二极管电流 | 25 mA |
| 最大集电极/发射极电压 | 80 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 最大集电极电流 | 10 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向电流 | 16 mA |
| 每芯片的通道数量 | 1 Channel |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.15V |
| 电压-输出（最大值） | 80V |
| 电压-隔离 | 5000Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 60mA |
| 电流-输出/通道 | 50mA |
| 电流传输比（最大值） | 600% @ 5mA |
| 电流传输比（最小值） | 50% @ 5mA |
| 电流传递比 | 50 % to 600 % |
| 系列 | TLP785 |
| 绝缘电压 | 5000 Vrms |
| 输入类型 | DCDC |
| 输出类型 | DC晶体管 |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
| 配置 | 1 Channel |
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