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Datasheet下载- 型号： TLP781(BL,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TLP781(BL,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TLP781(BL,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TLP781(BL,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TLP781(BL,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TLP781(BL,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的光隔离器 - 晶体管，光电输出型号TLP781(BL,F)主要应用于需要电气隔离和信号传输的场景。以下是其典型应用场景： 1. 工业自动化控制 - 在工业控制系统中，TLP781可用于隔离输入/输出信号，保护控制器免受高压或噪声干扰。 - 例如：PLC（可编程逻辑控制器）中的信号隔离、电机驱动电路中的电流检测与控制。 2. 电源管理 - TLP781适用于开关电源、DC-DC转换器等设备中的反馈信号隔离。 - 它能够将初级侧和次级侧电路隔离开来，确保安全性和稳定性。 3. 逆变器和变频器 - 在太阳能逆变器或变频器中，TLP781用于隔离栅极驱动信号，防止高压对控制电路的影响。 - 提供高效的信号传递，同时保护低电压控制电路。 4. 医疗设备 - 医疗设备中常需要高精度和高安全性的信号隔离，TLP781可以用于心电图仪、血压监测仪等设备中的信号传输。 - 确保患者与设备之间的电气安全。 5. 通信系统 - 在通信接口中，TLP781可用于隔离RS-232、RS-485等串行通信信号，防止地线环路引起的干扰。 - 提高通信系统的抗干扰能力和可靠性。 6. 家用电器 - 在智能家电中，如空调、洗衣机等，TLP781可用于隔离主控板与功率模块之间的信号。 - 保证控制信号的稳定性和安全性。 7. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，TLP781可用于隔离传感器信号或驱动信号，例如发动机控制单元（ECU）中的信号隔离。 - 提供更高的电磁兼容性和安全性。 8. 测试与测量设备 - 在数据采集系统或示波器中，TLP781可用于隔离输入信号与内部电路，避免高电压损坏敏感元件。 特性总结： TLP781(BL,F)具有高耐压能力、快速响应速度和低功耗的特点，适合在高压、高频或强电磁干扰环境中使用。其光电耦合设计实现了电气隔离，有效保护了敏感电路并提高了系统的可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP晶体管输出光电耦合器 Transistor Coupler CTR=200-600% BVS=5kV |
| 产品分类 | 光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Toshiba TLP781(BL,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP781点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | TLP781(BL,F)TLP781(BL,F) |
| Vce饱和值（最大值） | 400mV |
| 上升/下降时间（典型值） | 2µs， 3µs |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Opto - Photocouplers |
| 供应商器件封装 | 4-DIP |
| 其它名称 | TLP781BLF |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | PDIP-4 |
| 工作温度 | -55°C ~ 110°C |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 打开/关闭时间（典型值） | 3µs， 3µs |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大反向二极管电压 | 5 V |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.3 V |
| 最大输入二极管电流 | 60 mA |
| 最大集电极/发射极电压 | 80 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.2 V |
| 最大集电极电流 | 50 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 100 |
| 每芯片的通道数量 | 1 Channel |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.15V |
| 电压-输出（最大值） | 80V |
| 电压-隔离 | 5000Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 60mA |
| 电流-输出/通道 | 50mA |
| 电流传输比（最大值） | 600% @ 5mA |
| 电流传输比（最小值） | 200% @ 5mA |
| 电流传递比 | 600 % |
| 绝缘电压 | 5000 Vrms |
| 输入类型 | DCDC |
| 输出类型 | 晶体管DC |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
| 配置 | 1 Channel |
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