ICGOO在线商城 > 集成电路（IC） > 线性 - 放大器 - 仪表，运算放大器，缓冲器放大器 > TLE2082IDR
Datasheet下载- 型号： TLE2082IDR
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TLE2082IDR由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TLE2082IDR价格参考。Texas InstrumentsTLE2082IDR封装/规格：线性 - 放大器 - 仪表，运算放大器，缓冲器放大器， J-FET 放大器 2 电路 8-SOIC。您可以下载TLE2082IDR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TLE2082IDR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| -3db带宽 | - |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC运算放大器 - 运放 Dual Hi-Sp JFET-Input Op Amp |
| 产品分类 | Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps集成电路 - IC |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 放大器 IC,运算放大器 - 运放,Texas Instruments TLE2082IDRExcalibur™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TLE2082IDR |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 运算放大器 - 运放 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 共模抑制比—最小值 | 70 dB |
| 关闭 | No Shutdown |
| 其它名称 | 296-1343-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 76 mg |
| 压摆率 | 45 V/µs |
| 双重电源电压 | +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V |
| 商标 | Texas Instruments |
| 增益带宽生成 | 9.4 MHz |
| 增益带宽积 | 10MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工作电源电压 | 4.5 V to 38 V, +/- 2.25 V to +/- 19 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 技术 | BiFET |
| 放大器类型 | J-FET |
| 最大双重电源电压 | +/- 19 V |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小双重电源电压 | +/- 2.25 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源，单/双 (±) | 4.5 V ~ 38 V， ±2.25 V ~ 19 V |
| 电压-输入失调 | 1.1mV |
| 电流-电源 | 3.1mA |
| 电流-输入偏置 | 20pA |
| 电流-输出/通道 | 48mA |
| 电源电流 | 3.9 mA |
| 电路数 | 2 |
| 系列 | TLE2082 |
| 转换速度 | 35 V/us |
| 输入偏压电流—最大 | 175 nA |
| 输入参考电压噪声 | 28 nV |
| 输入补偿电压 | 7 mV |
| 输出电流 | 48 mA |
| 输出类型 | - |
| 通道数量 | 2 Channel |
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