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TL071IDR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TL071IDR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TL071IDR价格参考。Texas InstrumentsTL071IDR封装/规格:线性 - 放大器 - 仪表,运算放大器,缓冲器放大器, J-FET Amplifier 1 Circuit 8-SOIC。您可以下载TL071IDR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TL071IDR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
-3db带宽 | - |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC运算放大器 - 运放 Low-Noise JFET-Input |
产品分类 | Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps集成电路 - IC |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 放大器 IC,运算放大器 - 运放,Texas Instruments TL071IDR- |
数据手册 | |
产品型号 | TL071IDR |
产品种类 | 运算放大器 - 运放 |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
共模抑制比—最小值 | 75 dB |
关闭 | No Shutdown |
其它名称 | 296-26694-1 |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 72.600 mg |
单电源电压 | 7 V to 36 V |
压摆率 | 13 V/µs |
双重电源电压 | +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V |
商标 | Texas Instruments |
增益带宽生成 | 3 MHz |
增益带宽积 | 3MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
工作电源电压 | +/- 3.5 V to +/- 18 V |
工厂包装数量 | 2500 |
技术 | BiFET |
放大器类型 | J-FET |
最大双重电源电压 | +/- 18 V |
最大工作温度 | + 85 C |
最小双重电源电压 | +/- 3.5 V |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 1 |
电压-电源,单/双 (±) | 7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V |
电压-输入失调 | 3mV |
电流-电源 | 1.4mA |
电流-输入偏置 | 65pA |
电流-输出/通道 | - |
电源电流 | 2.5 mA |
电路数 | 1 |
系列 | TL071 |
转换速度 | 13 V/us |
输入偏压电流—最大 | 200 pA |
输入参考电压噪声 | 18 nV |
输入补偿电压 | 6 mV |
输出类型 | - |
通道数量 | 1 Channel |