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型号： TK7A60W,S4VX
制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供TK7A60W,S4VX由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK7A60W,S4VX价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK7A60W,S4VX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 7A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS。您可以下载TK7A60W,S4VX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK7A60W,S4VX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage 生产的 TK7A60W 和 S4VX 型号的 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）是单通道器件，广泛应用于多种电子设备和系统中。以下是它们的主要应用场景：

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS)：TK7A60W 和 S4VX 型号的 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于高效能的开关电源设计。它们可以在高频条件下工作，减少能量损耗，提高电源转换效率。
   - DC-DC 转换器：这些 MOSFET 可以用作同步整流器或主开关，帮助实现高效的电压转换，适用于便携式设备、工业控制系统等。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机 (BLDC)：MOSFET 是 BLDC 电机驱动电路中的关键元件，能够承受较大的电流并提供稳定的开关性能，确保电机平稳运行。
   - 步进电机驱动：在需要精确控制的场合，如打印机、3D 打印机等设备中，这些 MOSFET 可以有效驱动步进电机，实现精准的位置控制。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 锂离子电池保护：在电池管理系统中，MOSFET 用于电池充放电路径的控制，防止过充、过放、短路等问题。TK7A60W 和 S4VX 的低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命。
   - 负载切换：MOSFET 还可以用于负载切换，当电池电量不足或出现故障时，迅速切断负载，保护整个系统。

 4. 工业自动化
   - 可编程逻辑控制器 (PLC)：MOSFET 在 PLC 中用于控制各种执行器和传感器，提供高速、可靠的开关功能。
   - 伺服驱动器：在高精度的伺服系统中，MOSFET 可以用于电流控制和功率调节，确保系统的响应速度和稳定性。

 5. 消费电子产品
   - 笔记本电脑和智能手机：这些 MOSFET 用于电源管理和充电电路，确保设备在不同工作模式下的稳定供电。
   - 音频放大器：MOSFET 的低噪声特性和快速响应使其适用于音频信号的放大，提供高质量的声音输出。

 总结
TK7A60W 和 S4VX 型号的 MOSFET 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理系统、工业自动化以及消费电子产品等领域。它们的低导通电阻、快速开关特性和耐高温能力，使其成为许多高性能应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
Ciss-输入电容	490 pF
描述	MOSFET N CH 600V 7A TO-220SISMOSFET N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	超级结
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	7 A
品牌	ToshibaToshiba Semiconductor and Storage
产品手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK7A60W
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Toshiba TK7A60W,S4VX-
数据手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK7A60W
产品型号	TK7A60W,S4VXTK7A60W,S4VX
Pd-PowerDissipation	30 W
Pd-功率耗散	30 W
Qg-GateCharge	15 nC
Qg-栅极电荷	15 nC
RdsOn-漏源导通电阻	500 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.7 V to 3.7 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.7 V to 3.7 V
上升时间	18 ns
下降时间	7 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.7V @ 350µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	490pF @ 300V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	15nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	600 毫欧 @ 3.5A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220SIS
其它名称	TK7A60WS4VX
典型关闭延迟时间	55 ns
功率-最大值	30W
包装	管件
商标	Toshiba
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	500 mOhms
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	600 V
漏极连续电流	7 A
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	7A （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single