Datasheet下载- 型号： TK72E12N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK72E12N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK72E12N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK72E12N1,S1X封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK72E12N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK72E12N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 120V 72A TO-220MOSFET N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .0044 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 179 A |
| Id-连续漏极电流 | 179 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK72E12N1 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK72E12N1,S1X- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK72E12N1 |
| 产品型号 | TK72E12N1,S1XTK72E12N1,S1X |
| Pd-PowerDissipation | 255 W |
| Pd-功率耗散 | 255 W |
| Qg-GateCharge | 130 nC |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 120 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8100pF @ 60V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.4 毫欧 @ 36A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | TK72E12N1S1X |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 120V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 72A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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