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Datasheet下载- 型号： TK6A60D(STA4,Q,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK6A60D(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK6A60D(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK6A60D(STA4,Q,M)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 6A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS。您可以下载TK6A60D(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK6A60D(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的TK6A60D（STA4,Q,M）是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电力电子设备和系统中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 TK6A60D适用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）等。它能够高效地进行电压转换和电流控制，确保电源系统的稳定性和效率。由于其低导通电阻特性，能够在高频率下工作，减少功率损耗。 2. 电机驱动 在电机控制系统中，TK6A60D可以用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机。它能够精确控制电机的启动、停止、正反转以及速度调节，广泛应用于家电、工业自动化和消费电子产品中。 3. 电池保护电路 TK6A60D可用于电池管理系统（BMS）中的充放电保护电路。它可以防止过充、过放、短路等异常情况，保护电池的安全性和延长使用寿命。例如，在锂电池、镍氢电池等充电设备中，该MOSFET可以起到关键的保护作用。 4. 逆变器与变频器 在逆变器和变频器中，TK6A60D可以用于实现交流到直流或直流到交流的转换。它能够快速响应并提供稳定的输出，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等设备，确保电力传输的高效性和可靠性。 5. 汽车电子 在汽车电子领域，TK6A60D可用于车载电源、电动助力转向系统（EPS）、空调系统等。它能够承受较高的工作温度和电压波动，确保车辆电子系统的正常运行。 6. 消费电子产品 TK6A60D还常见于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，用于电源管理单元（PMU）、充电电路等部分。它的小型化设计和高效性能使得这些设备在保持紧凑体积的同时，具备更长的续航时间和更好的用户体验。 总之，TK6A60D凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，成为众多电力电子应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6A TO220SISMOSFET N-Ch FET 600V 3.0s IDSS 10 uA 1.0 Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK6A60D(STA4,Q,M)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK6A60D |
| 产品型号 | TK6A60D(STA4,Q,M)TK6A60D(STA4,Q,M) |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 16 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.25 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.25 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.25 欧姆 @ 3A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK6A60DSTA4QM |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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