Datasheet下载- 型号： TK65G10N1,RQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK65G10N1,RQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK65G10N1,RQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK65G10N1,RQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK65G10N1,RQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK65G10N1,RQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的TK65G10N1,RQ是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品。以下是其可能的应用场景： 1. 电源管理 - TK65G10N1,RQ适用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，用于高效地控制电压和电流的转换。 - 在电池充电电路中，该MOSFET可以用作开关元件，调节充电电流以保护电池。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，如家用电器（风扇、吸尘器）、电动工具或无人机等，该MOSFET可以作为功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载开关 - 用作负载开关，控制电子设备中不同模块的供电状态，例如在智能手机、平板电脑或其他便携式设备中实现低功耗模式。 4. 逆变器电路 - 在光伏逆变器或小型逆变器中，该MOSFET可用于将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的电力输出。 5. 信号切换 - 在通信设备或工业控制系统中，该MOSFET可以用作信号切换元件，实现高速信号的传输与隔离。 6. 过流保护 - 在保护电路中，TK65G10N1,RQ可以用作过流保护开关，防止电路因过载而损坏。 特性优势： - 低导通电阻：减少功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用场合。 - 耐高压能力：能够在较高电压环境下稳定工作。 总之，TK65G10N1,RQ广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和绿色能源等领域，特别是在需要高效功率转换和控制的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 100V D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK65G10N1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TK65G10N1,RQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5400pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 81nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | TK65G10N1RQDKR |
| 功率-最大值 | 156W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A （Ta） |
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