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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK5Q60W,S1VQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK5Q60W,S1VQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK5Q60W,S1VQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK5Q60W,S1VQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK5Q60W,S1VQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Ciss-输入电容 | 380 pF10.5nC |
描述 | MOSFET N CH 600V 5.4A IPAKMOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 超级结 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.4 A |
Id-连续漏极电流 | 5.4 A |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK5Q60W |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK5Q60W,S1VQ- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK5Q60W |
产品型号 | TK5Q60W,S1VQTK5Q60W,S1VQ |
Pd-PowerDissipation | 60 W |
Pd-功率耗散 | 60 W |
Qg-GateCharge | 10.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 10.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 770 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 770 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
上升时间 | 18 ns |
下降时间 | 7 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 270µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 300V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 900 毫欧 @ 2.7A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | TK5Q60WS1VQ |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 60W |
包装 | 管件 |
商标 | Toshiba |
商标名 | DTMOSIV |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-251-3 短截引线,IPak |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.4A (Ta) |
配置 | Single |