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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220SIS |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK5A60D |
产品图片 | |
产品型号 | TK5A60D(STA4,Q,M) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.43 欧姆 @ 2.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-220SIS |
其它名称 | TK5A60D(STA4QM) |
功率-最大值 | 35W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta) |