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  • 型号: TK56E12N1,S1X
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK56E12N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK56E12N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK56E12N1,S1X封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK56E12N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK56E12N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

Ciss-输入电容

4200 pF

描述

MOSFET N CH 120V 56A TO-220MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

112 A

Id-连续漏极电流

112 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK56E12N1

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba TK56E12N1,S1X-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK56E12N1

产品型号

TK56E12N1,S1XTK56E12N1,S1X

Pd-PowerDissipation

168 W

Pd-功率耗散

168 W

Qg-GateCharge

69 nC

Qg-栅极电荷

69 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

120 V

Vds-漏源极击穿电压

120 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V to 4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V to 4 V

上升时间

20 ns

下降时间

23 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4200pF @ 60V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

69nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 28A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

TK56E12N1S1X

典型关闭延迟时间

73 ns

功率-最大值

168W

包装

管件

商标

Toshiba

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

120V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

56A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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