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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK56E12N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK56E12N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK56E12N1,S1X封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK56E12N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK56E12N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
Ciss-输入电容 | 4200 pF |
描述 | MOSFET N CH 120V 56A TO-220MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 112 A |
Id-连续漏极电流 | 112 A |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK56E12N1 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK56E12N1,S1X- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK56E12N1 |
产品型号 | TK56E12N1,S1XTK56E12N1,S1X |
Pd-PowerDissipation | 168 W |
Pd-功率耗散 | 168 W |
Qg-GateCharge | 69 nC |
Qg-栅极电荷 | 69 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 120 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
上升时间 | 20 ns |
下降时间 | 23 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4200pF @ 60V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 毫欧 @ 28A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | TK56E12N1S1X |
典型关闭延迟时间 | 73 ns |
功率-最大值 | 168W |
包装 | 管件 |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 120V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 56A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |