ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > TK56A12N1,S4X
Datasheet下载- 型号： TK56A12N1,S4X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK56A12N1,S4X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK56A12N1,S4X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK56A12N1,S4X封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 120V 56A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS。您可以下载TK56A12N1,S4X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK56A12N1,S4X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的TK56A12N1,S4X是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 TK56A12N1,S4X常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中，作为高效的开关元件。它能够在高频条件下工作，减少能量损耗，提高电源转换效率。由于其低导通电阻（Rds(on)），在大电流应用中能够降低发热，提升系统的稳定性和可靠性。 2. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，该MOSFET可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。例如，在风扇、水泵或小型电动工具中，它可以精确控制电机的工作状态，提供高效且稳定的驱动能力。 3. 电池管理系统（BMS） TK56A12N1,S4X可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关。它能够快速响应过流、短路等异常情况，保护电池免受损坏。此外，它还可以用于均衡电路中，确保电池组中的每个电池单元电压一致，延长电池寿命。 4. 逆变器与变频器 在逆变器和变频器中，该MOSFET可以用于将直流电转换为交流电，或者调节交流电的频率和电压。它具有较快的开关速度和较低的开关损耗，适合用于高效能的逆变器和变频器设计。 5. 负载开关 作为负载开关，TK56A12N1,S4X可以在需要时迅速切断或接通负载电路，确保系统在待机或关机状态下功耗最小化。它广泛应用于消费电子设备、工业控制系统等领域。 6. LED驱动 在LED照明系统中，该MOSFET可以用作恒流源的一部分，确保LED灯珠获得稳定的电流供应，从而保证亮度一致性和延长使用寿命。 总之，TK56A12N1,S4X凭借其优异的电气特性，适用于多种电力电子应用，特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 120V 56A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK56A12N1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TK56A12N1,S4X |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4200pF @ 60V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 28A， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK56A12N1,S4X-ND |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 120V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 56A （Tc） |
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