ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > TK40P04M1(T6RSS-Q)
.jpg)
Datasheet下载- 型号： TK40P04M1(T6RSS-Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK40P04M1(T6RSS-Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK40P04M1(T6RSS-Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK40P04M1(T6RSS-Q)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 40A（Ta） 47W（Tc） DP。您可以下载TK40P04M1(T6RSS-Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK40P04M1(T6RSS-Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的TK40P04M1(T6RSS-Q)是一款单通道的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于多种电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 TK40P04M1常用于电源管理系统中，特别是在开关电源、直流-直流转换器和电池充电电路中。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高系统的能效。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中表现出色，适用于需要频繁开关操作的场景。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，TK40P04M1可以作为功率开关，用于控制电机的启动、停止和速度调节。例如，在电动工具、家用电器（如风扇、吸尘器等）以及自动化设备中，该MOSFET能够提供稳定的电流输出，确保电机平稳运行。 3. 负载开关 该MOSFET也适用于负载开关应用，特别是在便携式电子设备中。它可以快速响应负载变化，保护电路免受过流、短路等故障的影响。常见的应用包括智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品中的电源管理模块。 4. 信号放大与处理 TK40P04M1还可以用于信号放大和处理电路中，尤其是在音频设备、传感器接口等场景下。它的高速开关特性和低噪声性能使得它能够在这些应用中提供高质量的信号传输和处理能力。 5. 汽车电子 在汽车电子领域，TK40P04M1可用于车身控制系统、车载娱乐系统和安全系统中的电源管理和信号控制。它能够承受较大的温度范围和振动环境，确保在恶劣条件下的稳定工作。 6. 工业控制 在工业自动化和控制系统中，TK40P04M1可以作为功率开关或逻辑控制元件，用于驱动继电器、电磁阀等执行机构。它具有良好的耐压能力和可靠性，适合长时间连续工作。 总之，TK40P04M1凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率控制和信号处理的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1920 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1AMOSFET 40V N0Ch PWR FET 40A 47W 1920pF |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK40P04M1(T6RSS-Q)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK40P04M1点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | TK40P04M1(T6RSS-Q)TK40P04M1(T6RSS-Q) |
| Pd-PowerDissipation | 47 W |
| Pd-功率耗散 | 47 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1920pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DP |
| 典型关闭延迟时间 | 63 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 10.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 2,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 40 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
