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  • 型号: TK39N60W,S1VF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK39N60W,S1VF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK39N60W,S1VF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK39N60W,S1VF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK39N60W,S1VF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK39N60W,S1VF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

Ciss-输入电容

4100 pF

描述

MOSFET N CH 600V 38.8A TO247MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

超级结

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

38.8 A

Id-连续漏极电流

38.8 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK39N60W

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba TK39N60W,S1VF-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK39N60W

产品型号

TK39N60W,S1VFTK39N60W,S1VF

Pd-PowerDissipation

270 W

Pd-功率耗散

270 W

Qg-GateCharge

110 nC

Qg-栅极电荷

110 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

55 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

55 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.7 V to 3.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.7 V to 3.7 V

上升时间

50 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.7V @ 1.9mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4100pF @ 300V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

65 毫欧 @ 19.4A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

TK39N60WS1VF

典型关闭延迟时间

200 ns

功率-最大值

270W

包装

管件

商标

Toshiba

商标名

DTMOSIV

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

-

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

38.8A (Ta)

负载电压

-

配置

Single

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