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  • 型号: TK35N65W5,S1F
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK35N65W5,S1F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK35N65W5,S1F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK35N65W5,S1F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK35N65W5,S1F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK35N65W5,S1F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK35N65W5

产品图片

产品型号

TK35N65W5,S1F

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 2.1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4100pF @ 300V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

115nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

95 毫欧 @ 17.5A, 10V

供应商器件封装

TO-247

其它名称

TK35N65W5,S1F-ND
TK35N65W5S1F

功率-最大值

270W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

35A (Ta)

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