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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK35N65W5 |
产品图片 | |
产品型号 | TK35N65W5,S1F |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 2.1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4100pF @ 300V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 115nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 95 毫欧 @ 17.5A, 10V |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | TK35N65W5,S1F-ND |
功率-最大值 | 270W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Ta) |