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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK30E06N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK30E06N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK30E06N1,S1X封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK30E06N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK30E06N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N CH 60V 30A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK30E06N1 |
产品图片 | |
产品型号 | TK30E06N1,S1X |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 200µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1050pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 15 毫欧 @ 15A,10V |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | TK30E06N1S1X |
功率-最大值 | 53W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/toshiba-silicon-n-channel-mosfet/2550http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 43A (Ta) |