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  • 型号: TK2Q60D(Q)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK2Q60D(Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK2Q60D(Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK2Q60D(Q)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK2Q60D(Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK2Q60D(Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

Ciss-输入电容

280 pF

描述

MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLDMOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2 A

Id-连续漏极电流

2 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba TK2Q60D(Q)-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK2Q60D点击此处下载产品Datasheet

产品型号

TK2Q60D(Q)TK2Q60D(Q)

Pd-PowerDissipation

60 W

Pd-功率耗散

60 W

Qg-GateCharge

7 nC

Qg-栅极电荷

7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4.3 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.4 V

上升时间

15 ns

下降时间

7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

280pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.3 欧姆 @ 1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PW-MOLD2

其它名称

TK2Q60DQ

典型关闭延迟时间

55 ns

功率-最大值

60W

包装

散装

商标

Toshiba

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

2-7J2B-3

工厂包装数量

200

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

200

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

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