Datasheet下载- 型号： TK22A10N1,S4X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK22A10N1,S4X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK22A10N1,S4X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK22A10N1,S4X封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK22A10N1,S4X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK22A10N1,S4X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 52A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK22A10N1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TK22A10N1,S4X |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 300µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.8 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK22A10N1,S4X-ND |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
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