ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > TK20J60U(F)
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Datasheet下载- 型号： TK20J60U(F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK20J60U(F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK20J60U(F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK20J60U(F)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 20A（Ta） 190W（Tc） TO-3P（N）。您可以下载TK20J60U(F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK20J60U(F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PNMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TK20J60U&lang=en&type=datasheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK20J60U(F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK20J60U点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | TK20J60U(F) |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1470pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
| 其它名称 | TK20J60U(F)-ND |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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