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Datasheet下载- 型号： TK16J60W,S1VQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK16J60W,S1VQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK16J60W,S1VQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK16J60W,S1VQ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）。您可以下载TK16J60W,S1VQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK16J60W,S1VQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的TK16J60W,S1VQ是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于FET（场效应晶体管）类别。这款器件的主要应用场景如下： 1. 电源管理 TK16J60W,S1VQ适用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高转换效率。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，能够快速、高效地控制电流的通断，确保电源系统的稳定性和可靠性。 2. 电机驱动 该型号的MOSFET可以用于小型电机驱动电路中，例如步进电机、直流无刷电机（BLDC）等。它能够承受较高的电流和电压，确保电机在启动、运行和停止过程中平稳工作。由于其快速开关特性和低功耗，特别适合需要频繁启停或调速的应用场景。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，TK16J60W,S1VQ可用于电池充放电保护电路。它能够精确控制电池的充电和放电过程，防止过充、过放以及短路等问题。此外，其低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命。 4. 消费电子设备 这款MOSFET广泛应用于各类消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它可以用作负载开关，控制不同功能模块的供电状态，从而实现节能和延长电池续航时间。同时，它还可以用于音频放大器、LED驱动等电路中，提供稳定的电流输出。 5. 工业自动化 在工业自动化领域，TK16J60W,S1VQ可用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口、继电器驱动等场合。它能够承受工业环境中的高电压和大电流冲击，确保系统的稳定运行。此外，其紧凑的封装形式（S1VQ）也使得它在空间有限的工业设备中易于安装和集成。 总之，TK16J60W,S1VQ凭借其优异的电气性能和可靠的稳定性，适用于多种电力电子设备和控制系统，尤其是在对效率、可靠性和体积有较高要求的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1350 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 15.8 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16J60W |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK16J60W,S1VQ- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16J60W |
| 产品型号 | TK16J60W,S1VQTK16J60W,S1VQ |
| Pd-PowerDissipation | 130 W |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Qg-GateCharge | 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 790µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 7.9A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
| 其它名称 | TK16J60WS1VQ |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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