【未分类_TK16G60W,RVQ】封装/厂家_TK16G60W,RVQ中文资料_价格

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型号： TK16G60W,RVQ
制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供TK16G60W,RVQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK16G60W,RVQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK16G60W,RVQ封装/规格：未分类，暂无。您可以下载TK16G60W,RVQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK16G60W,RVQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage 的 TK16G60W,RVQ 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其应用场景主要包括以下几个方面：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - TK16G60W,RVQ 适用于开关电源中的功率转换电路，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。其高耐压特性（600V）使其能够在高压环境下稳定工作，适合用于适配器、充电器以及工业电源设备。

 2. 电机驱动
   - 在小型电机驱动应用中，该 MOSFET 可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻（典型值为 1.5Ω）有助于减少功率损耗，提高效率。
   - 常见应用包括家用电器（如风扇、水泵）和工业自动化设备中的电机控制。

 3. 逆变器
   - 该器件可用于光伏逆变器或 UPS（不间断电源）系统中的逆变电路，将直流电转换为交流电。其高耐压和快速开关能力能够满足逆变器对可靠性和效率的要求。

 4. 负载开关
   - 在需要频繁切换负载的应用中，TK16G60W,RVQ 可作为高效的负载开关，用于控制电子设备的供电状态。例如，在汽车电子或消费电子产品中，它可以帮助实现快速启停功能，同时降低功耗。

 5. 过流保护和电子保险丝
   - 利用其低导通电阻和快速响应特性，该 MOSFET 可以用作过流保护电路中的核心元件，或者作为电子保险丝来防止电路过载。

 6. 继电器替代
   - 在一些需要高频开关的应用场景中，TK16G60W,RVQ 可以替代传统的机械继电器，提供更长的使用寿命和更高的可靠性，例如在汽车电子控制系统中。

 总结
TK16G60W,RVQ 的主要优势在于其高耐压（600V）、低导通电阻（1.5Ω）和紧凑封装（RVQ），非常适合应用于开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关、过流保护等领域。这些特性使其成为高效、可靠的功率管理解决方案的理想选择，尤其适用于需要在高压和高频条件下工作的场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
Ciss-输入电容	1350 pF
描述	MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAKMOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	超级结
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	15.8 A
Id-连续漏极电流	15.8 A
品牌	ToshibaToshiba Semiconductor and Storage
产品手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16G60W
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Toshiba TK16G60W,RVQ-
数据手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16G60W
产品型号	TK16G60W,RVQTK16G60W,RVQ
Pd-PowerDissipation	130 W
Pd-功率耗散	130 W
Qg-GateCharge	38 nC
Qg-栅极电荷	38 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	190 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	190 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.7 V to 3.7 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.7 V to 3.7 V
上升时间	25 ns
下降时间	5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.7V @ 790µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1350pF @ 300V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	38nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	190 毫欧 @ 7.9A, 10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	TK16G60WRVQDKR
典型关闭延迟时间	100 ns
功率-最大值	130W
包装	Digi-Reel®
商标	Toshiba
商标名	DTMOSIV
安装类型	*
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	15.8A （Ta）
配置	Single