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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK16G60W,RVQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK16G60W,RVQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK16G60W,RVQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK16G60W,RVQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK16G60W,RVQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Ciss-输入电容 | 1350 pF |
描述 | MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAKMOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 超级结 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 15.8 A |
Id-连续漏极电流 | 15.8 A |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16G60W |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK16G60W,RVQ- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16G60W |
产品型号 | TK16G60W,RVQTK16G60W,RVQ |
Pd-PowerDissipation | 130 W |
Pd-功率耗散 | 130 W |
Qg-GateCharge | 38 nC |
Qg-栅极电荷 | 38 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 790µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 300V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 7.9A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | TK16G60WRVQDKR |
典型关闭延迟时间 | 100 ns |
功率-最大值 | 130W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Toshiba |
商标名 | DTMOSIV |
安装类型 | * |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15.8A (Ta) |
配置 | Single |