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型号： TK16A60W5,S4VX
制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供TK16A60W5,S4VX由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK16A60W5,S4VX价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK16A60W5,S4VX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS。您可以下载TK16A60W5,S4VX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK16A60W5,S4VX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage的TK16A60W5,S4VX是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   - 开关电源：该MOSFET适用于开关电源中的高频开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高电源效率。
   - 电池管理系统：用于电池充放电控制电路中，确保电池在安全范围内工作，防止过充或过放。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机）和工业自动化设备中，MOSFET作为逆变器的一部分，用于控制电机的转速和方向。
   - 步进电机驱动：在精密控制场合，如3D打印机、数控机床等，MOSFET可以精确控制电流，确保电机平稳运行。

 3. 消费电子
   - 智能家电：如空调、冰箱、微波炉等家电产品中，MOSFET用于控制风扇、压缩机等部件的工作状态，实现节能和智能化管理。
   - 便携式设备：在智能手机、平板电脑等便携式设备中，MOSFET用于电源管理和信号切换，确保设备的高效运行和长续航。

 4. 工业自动化
   - PLC（可编程逻辑控制器）：在工业控制系统中，MOSFET用于信号隔离和驱动执行机构（如继电器、电磁阀等），确保系统的可靠性和稳定性。
   - 传感器接口：用于连接传感器与主控系统之间的信号传输，提供快速响应和高精度控制。

 5. 汽车电子
   - 车身控制系统：如车窗升降、座椅调节、雨刷控制等，MOSFET用于驱动这些执行器，确保操作的平顺性和安全性。
   - 车载充电器：用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的车载充电系统中，MOSFET能够处理高电流和电压，保证充电过程的安全和高效。

 总结
TK16A60W5,S4VX凭借其优异的电气特性，如低导通电阻、高耐压和快速开关速度，广泛应用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业自动化和汽车电子等领域。它能够在各种复杂的工作环境中保持稳定性能，满足不同应用场景的需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
Ciss-输入电容	1350 pF
描述	MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SISMOSFET N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	超级结
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	15.8 A
Id-连续漏极电流	15.8 A
品牌	ToshibaToshiba Semiconductor and Storage
产品手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16A60W5
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Toshiba TK16A60W5,S4VX-
数据手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16A60W5
产品型号	TK16A60W5,S4VXTK16A60W5,S4VX
Pd-PowerDissipation	40 W
Pd-功率耗散	40 W
Qg-GateCharge	43 nC
Qg-栅极电荷	43 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	190 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	190 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.7V @ 1.5mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1350pF @ 300V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	43nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	190 毫欧 @ 7.9A, 10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220SIS
其它名称	TK16A60W5S4VX
功率-最大值	40W
包装	管件
商标	Toshiba
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装/外壳	TO-220-3 全封装，隔离接片
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	600V
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/toshiba-dtmosiv-superjunction-mosfets/3396
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	15.8A （Ta）
配置	Single