ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > TK16A60W5,S4VX
Datasheet下载- 型号： TK16A60W5,S4VX
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK16A60W5,S4VX由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK16A60W5,S4VX价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK16A60W5,S4VX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS。您可以下载TK16A60W5,S4VX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK16A60W5,S4VX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 1350 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SISMOSFET N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 15.8 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16A60W5 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK16A60W5,S4VX- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16A60W5 |
| 产品型号 | TK16A60W5,S4VXTK16A60W5,S4VX |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 43 nC |
| Qg-栅极电荷 | 43 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 7.9A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK16A60W5S4VX |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/toshiba-dtmosiv-superjunction-mosfets/3396 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15.8A （Ta） |
| 配置 | Single |
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