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Datasheet下载- 型号： TK16A60W,S4VX
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK16A60W,S4VX由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK16A60W,S4VX价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK16A60W,S4VX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS。您可以下载TK16A60W,S4VX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK16A60W,S4VX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的TK16A60W,S4VX是一款单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率控制和开关操作的场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 TK16A60W,S4VX常用于电源管理系统中，特别是在开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC converters）中。它能够高效地进行电流切换，降低能耗并提高系统的整体效率。由于其低导通电阻（Rds(on)），在大电流应用中可以减少发热，提升系统的可靠性。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇等），TK16A60W,S4VX可以作为电机控制器的关键组件。它能够精确控制电机的启动、停止和调速，确保电机运行平稳且高效。 3. 负载开关 该型号MOSFET也适用于负载开关应用，尤其是在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等）中。它可以快速响应负载变化，确保设备在不同工作模式下的稳定供电，同时减少待机功耗。 4. 电池保护电路 在电池管理系统中，TK16A60W,S4VX可用于电池保护电路，防止过充、过放、短路等异常情况。它能够迅速切断电流路径，保护电池和相关电路免受损坏。 5. 逆变器和变频器 在逆变器和变频器中，TK16A60W,S4VX可以用于高频开关操作，将直流电转换为交流电，或调节交流电的频率和电压。这在太阳能逆变器、空调变频器等设备中有广泛应用。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中，如电动助力转向系统（EPS）、车身控制系统（BCM）等，TK16A60W,S4VX可以用于信号放大、电源控制等任务。它具有良好的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂的车载环境中可靠工作。 总之，TK16A60W,S4VX凭借其优异的性能和可靠性，在多种电力电子设备中发挥着重要作用，特别适合对功率控制和效率有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1350 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SISMOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 15.8 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16A60W |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK16A60W,S4VX- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16A60W |
| 产品型号 | TK16A60W,S4VXTK16A60W,S4VX |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 790µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 7.9A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK16A60WS4VX |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/toshiba-dtmosiv-superjunction-mosfets/3396 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
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