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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK14N65W,S1F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK14N65W,S1F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK14N65W,S1F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 13.7A(Ta) 130W(Tc) TO-247。您可以下载TK14N65W,S1F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK14N65W,S1F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TK14N65W 和 S1F 的应用场景 1. TK14N65W TK14N65W 是一种增强型 N 沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。它具有低导通电阻(Rds(on))和高耐压特性,适用于以下场景: - 电源转换:在 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器和开关电源中,TK14N65W 可以作为功率开关,实现高效的电压转换。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高整体效率。 - 电机控制:在无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中,MOSFET 用于控制电机的电流流向。TK14N65W 的快速开关特性和低损耗使其成为理想选择。 - 电池管理系统(BMS):在锂电池保护板中,MOSFET 用于过流保护和短路保护。TK14N65W 的高可靠性和低导通电阻可以有效延长电池寿命并确保安全。 - 负载切换:在智能家电、工业自动化设备中,MOSFET 用于控制不同负载的通断。TK14N65W 可以承受较大的电流波动,确保系统的稳定运行。 2. S1F S1F 是一种肖特基二极管,具有低正向压降和快速恢复时间的特点,适用于高频整流和续流电路。其典型应用场景包括: - 电源整流:在开关电源和逆变器中,S1F 用于将交流电转换为直流电。其低正向压降减少了能量损失,提高了电源的整体效率。 - 续流保护:在感应负载(如电机、变压器)的电路中,S1F 用作续流二极管,防止反电动势对其他元件造成损坏。其快速恢复特性使得它能够在高频开关电路中保持高效工作。 - 太阳能逆变器:在光伏系统中,S1F 用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,并提供高效的能量传输。其低损耗特性有助于提高系统的发电效率。 - 通信设备:在射频(RF)电路中,S1F 的快速响应时间和低噪声特性使其成为理想的整流和保护元件,确保信号的完整性和稳定性。 总之,TK14N65W 和 S1F 在电力电子、电机控制、通信设备等领域有着广泛的应用,它们各自的特点使其在不同的电路设计中发挥重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK14N65W |
产品图片 | |
产品型号 | TK14N65W,S1F |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 690µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 300V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 mOhm @ 6.9A, 10V |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | TK14N65W,S1F(S |
功率-最大值 | 130W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13.7A (Ta) |