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Datasheet下载- 型号： TK12E60W,S1VX
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK12E60W,S1VX由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK12E60W,S1VX价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK12E60W,S1VX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 110W（Tc） TO-220。您可以下载TK12E60W,S1VX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK12E60W,S1VX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的TK12E60W,S1VX是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 直流-直流转换器：该MOSFET适用于各种DC-DC转换器，如降压、升压或升降压转换器。它能够高效地进行电压调节，确保输出电压稳定，特别适合便携式设备、工业控制系统和通信基站等。 - 开关电源（SMPS）：在开关电源中，TK12E60W,S1VX可以作为主开关管，用于高频开关操作，提供高效的能量转换，减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电机驱动应用中，MOSFET用于控制电机绕组的电流流动。TK12E60W,S1VX具有低导通电阻（Rds(on)），能够减少发热，提高效率，特别适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制。 - 步进电机驱动：该器件也适用于步进电机的驱动电路，提供精确的电流控制，确保电机平稳运行。 3. 负载切换 - 电池管理系统（BMS）：在电池管理系统中，MOSFET用于保护电池免受过充、过放和短路的影响。TK12E60W,S1VX可以快速响应并切断电流路径，保护电池安全。 - 热插拔保护：在服务器和数据中心的应用中，MOSFET用于实现热插拔功能，确保在不关闭系统的情况下安全插入或移除模块，避免电流冲击。 4. 汽车电子 - 车载充电器：在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中，该MOSFET可用于车载充电器的功率转换部分，确保高效的能量传输。 - 车身控制模块（BCM）：用于控制车窗、座椅调节等功能的电路中，MOSFET可以实现快速、可靠的开关操作。 5. 消费电子 - 笔记本电脑和智能手机充电器：在这些设备的充电器中，MOSFET用于实现高效的电源管理，确保充电过程中的能量损失最小化。 - 音频放大器：在音频设备中，MOSFET可以用于功率放大级，提供高保真的音频输出。 总的来说，TK12E60W,S1VX凭借其低导通电阻、高耐压特性和快速开关能力，适用于多种电力电子应用，特别是在需要高效能和可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 890 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.5 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK12E60W |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK12E60W,S1VX- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK12E60W |
| 产品型号 | TK12E60W,S1VXTK12E60W,S1VX |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 600µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 890pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | TK12E60WS1VX |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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