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Datasheet下载- 型号： TK12A60W,S4VX
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK12A60W,S4VX由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK12A60W,S4VX价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK12A60W,S4VX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS。您可以下载TK12A60W,S4VX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK12A60W,S4VX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的TK12A60W和S4VX是两款不同规格的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），它们各自有不同的应用场景。 TK12A60W TK12A60W是一款N沟道增强型MOSFET，具有以下特点： - 耐压：最高可达600V，适用于高压应用。 - 电流：最大连续漏极电流为12A，适合大电流负载。 - 低导通电阻：有助于减少功率损耗，提高效率。 应用场景： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等需要高效、高耐压的电源管理系统。例如，在工业设备、服务器电源中，可以作为主开关管使用。 2. 电机驱动：用于控制直流电机或步进电机，特别是在需要高电压和大电流的场合，如电动工具、家电等。 3. 逆变器：在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等设备中，能够处理高电压和大电流，确保系统的稳定性和可靠性。 4. 汽车电子：可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）等，满足汽车行业对高可靠性的要求。 S4VX S4VX是一款N沟道增强型MOSFET，主要特点是： - 耐压：最高可达40V，适用于低压应用。 - 电流：最大连续漏极电流为85A，适合大电流负载。 - 超低导通电阻：有助于降低功耗，提高效率。 应用场景： 1. 电池管理系统：在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）的电池管理系统中，用于保护电池组免受过充、过放等问题的影响。 2. 电机驱动：适用于低压电机驱动，如电动自行车、电动滑板车等，提供高效的电流控制。 3. 消费电子产品：用于智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理电路，确保高效能和长续航。 4. 工业自动化：在工厂自动化设备中，用于控制低压执行器、传感器等，确保系统的响应速度和稳定性。 总之，这两款MOSFET分别适用于不同的电压和电流范围，广泛应用于电力电子、汽车电子、工业自动化等领域，帮助实现高效、可靠的电力转换和控制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 890 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SISMOSFET N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.5 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK12A60W,S4VX- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK12A60W |
| 产品型号 | TK12A60W,S4VXTK12A60W,S4VX |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 265 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 265 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 600µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 890pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK12A60WS4VX |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/toshiba-dtmosiv-superjunction-mosfets/3396 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
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