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Datasheet下载- 型号： TK12A60U(Q,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK12A60U(Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK12A60U(Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK12A60U(Q,M)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 12A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS。您可以下载TK12A60U(Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK12A60U(Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 生产的 TK12A60U(Q,M) 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 TK12A60U(Q,M) 常用于电源管理电路中，特别是在开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC Converter）中。其低导通电阻和快速开关特性使得它能够在高效能的电源转换应用中发挥作用，减少能量损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，TK12A60U(Q,M) 可以用作功率开关，控制电机的启动、停止和调速。例如，在电动工具、家用电器（如洗衣机、空调等）的电机控制系统中，该MOSFET能够提供稳定的电流输出，并且具备良好的耐压性能，确保在高电压环境下稳定工作。 3. 电池管理系统（BMS） TK12A60U(Q,M) 适用于电池管理系统中的充放电控制。它可以作为电池组的保护元件，防止过充、过放以及短路等情况的发生。由于其较高的击穿电压（600V），它能够在高压电池系统中可靠工作，如电动汽车、储能系统等。 4. 逆变器与变频器 在逆变器和变频器中，TK12A60U(Q,M) 能够实现交流与直流之间的转换。通过精确控制MOSFET的开关状态，可以调节输出频率和电压，广泛应用于太阳能逆变器、工业自动化设备中的变频器等领域。 5. 照明系统 在LED照明系统中，TK12A60U(Q,M) 可用于恒流源或调光控制器。它能够根据负载需求调整电流大小，确保LED灯具的亮度稳定，并且支持调光功能，提升用户体验。 总之，TK12A60U(Q,M) 凭借其出色的电气特性，如低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度，适用于多种电力电子设备和工业控制领域，尤其适合需要高效能和高可靠性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK12A60U点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK12A60U(Q,M) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 720pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK12A60U(Q) |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
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