Datasheet下载- 型号： TK10P60W,RVQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK10P60W,RVQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK10P60W,RVQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK10P60W,RVQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK10P60W,RVQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK10P60W,RVQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的TK10P60W,RVQ是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号的MOSFET主要应用于以下场景： 1. 开关电源（SMPS） - TK10P60W,RVQ适用于各种开关电源设计，如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻特性能够有效减少功率损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，这款MOSFET可以作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。例如，家用电器中的风扇、水泵或电动工具等。 3. 负载切换 - 该器件可用于负载切换电路，实现对不同负载的快速开启和关闭操作。例如，在汽车电子系统中，用于控制车灯、雨刷或其他电子设备的供电。 4. 电池管理 - 在电池管理系统（BMS）中，TK10P60W,RVQ可以用作充放电保护开关，确保电池在安全范围内工作，同时防止过流、短路等情况发生。 5. 逆变器 - 这款MOSFET适合用于小型逆变器的设计，将直流电转换为交流电，广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等场景。 6. 信号放大与缓冲 - 在一些低功率信号处理电路中，该MOSFET可以用作信号放大或缓冲元件，提供稳定的输出性能。 特性总结： - 耐压能力：60V，适用于中低压应用场景。 - 低导通电阻：有助于降低功耗，提升系统效率。 - 快速开关特性：适合高频开关应用。 总体而言，TK10P60W,RVQ凭借其高效能和可靠性，非常适合消费电子、工业控制以及汽车电子等领域的小功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 700 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 9.7A DPAKMOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.7 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK10P60W |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK10P60W,RVQ- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK10P60W |
| 产品型号 | TK10P60W,RVQTK10P60W,RVQ |
| Pd-PowerDissipation | 80 W |
| Pd-功率耗散 | 80 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 500µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 430 毫欧 @ 4.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | TK10P60WRVQ |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 80W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/toshiba-dtmosiv-superjunction-mosfets/3396 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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