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  • 型号: TK10A50D(STA4,Q,M)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK10A50D(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK10A50D(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK10A50D(STA4,Q,M)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK10A50D(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK10A50D(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

Ciss-输入电容

1050 pF

描述

MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SISMOSFET N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10 A

Id-连续漏极电流

10 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK10A50D

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba TK10A50D(STA4,Q,M)-

数据手册

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产品型号

TK10A50D(STA4,Q,M)TK10A50D(STA4,Q,M)

Pd-PowerDissipation

45 W

Pd-功率耗散

45 W

Qg-GateCharge

20 nC

Qg-栅极电荷

20 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

620 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

620 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

上升时间

25 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1050pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

720 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220SIS

其它名称

TK10A50D(STA4QM)
TK10A50DSTA4QM

典型关闭延迟时间

75 ns

功率-最大值

45W

包装

管件

商标

Toshiba

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Ta)

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