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  • 型号: TK100E10N1,S1X
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK100E10N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK100E10N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK100E10N1,S1X封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 100A(Ta) 255W(Tc) TO-220。您可以下载TK100E10N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK100E10N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 100V 207A TO220

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK100E10N1

产品图片

产品型号

TK100E10N1,S1X

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8800pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

140nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.4 毫欧 @ 50A,10V

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

TK100E10N1S1X

功率-最大值

255W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Ta)

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