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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK100E10N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK100E10N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK100E10N1,S1X封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 100A(Ta) 255W(Tc) TO-220。您可以下载TK100E10N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK100E10N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 生产的 TK100E10N1,S1X 是一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于 FET 类别。这款器件具有多种应用场景,尤其是在电力电子和信号处理领域。 1. 电源管理 TK100E10N1,S1X 常用于开关电源、直流-直流转换器等电源管理系统中。其低导通电阻特性使得它在高频开关应用中表现出色,能够有效减少功率损耗,提高电源转换效率。此外,该 MOSFET 的快速开关速度也有助于降低电磁干扰(EMI),提升系统的稳定性。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,TK100E10N1,S1X 可以作为开关元件,控制电机的启动、停止以及调速。由于其耐压能力较强(100V),适用于中小功率的电机控制系统,如步进电机、无刷直流电机等。它的高可靠性和低功耗特点也使其成为电池供电设备的理想选择。 3. 负载切换 该 MOSFET 还可用于负载切换电路中,实现对不同负载的快速响应和精确控制。例如,在汽车电子系统中,它可以用来控制车灯、雨刷、空调等设备的电源通断。通过外部控制信号,MOSFET 能够迅速切断或接通电流路径,确保各负载的安全运行。 4. 保护电路 TK100E10N1,S1X 也可应用于过流保护、短路保护等安全电路设计中。当检测到异常电流时,MOSFET 可以立即关断,防止下游电路受到损坏。这种保护机制广泛应用于消费电子、工业自动化等领域,确保系统的稳定性和安全性。 5. 信号放大与处理 虽然 MOSFET 主要用于开关功能,但在某些情况下,它也可以作为信号放大器使用。特别是在低噪声、高增益要求的应用中,TK100E10N1,S1X 可以提供稳定的信号放大性能,适用于音频设备、传感器接口等场景。 总之,Toshiba 的 TK100E10N1,S1X MOSFET 凭借其优异的电气特性,在多个领域有着广泛的应用前景,特别是在需要高效、可靠、低功耗的电力电子设备中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N CH 100V 207A TO220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK100E10N1 |
产品图片 | |
产品型号 | TK100E10N1,S1X |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8800pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.4 毫欧 @ 50A,10V |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | TK100E10N1S1X |
功率-最大值 | 255W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Ta) |