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Datasheet下载- 型号： TK100E08N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK100E08N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK100E08N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK100E08N1,S1X封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 80V 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220。您可以下载TK100E08N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK100E08N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 生产的 TK100E08N1,S1X 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 TK100E08N1,S1X 可用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器等。它具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，能够有效降低功耗，提高电源转换效率。在这些应用中，MOSFET 起到开关的作用，控制电流的通断，确保电源系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中，TK100E08N1,S1X 可以作为功率开关，控制电机的启动、停止和调速。它适用于小型直流电机、步进电机和无刷直流电机等。通过精确控制电流的流动，MOSFET 可以实现对电机转速和扭矩的精准调节，同时减少发热和能量损失。 3. 负载切换 在负载切换应用中，TK100E08N1,S1X 可以用作开关元件，控制不同负载之间的切换。例如，在汽车电子系统中，它可以用于控制车灯、风扇、雨刷等设备的开关状态。由于其低导通电阻和快速响应特性，MOSFET 能够在短时间内完成负载切换，避免电压波动对其他电路的影响。 4. 电池保护电路 TK100E08N1,S1X 还可以用于电池保护电路中，防止过充、过放、短路等情况的发生。它可以在检测到异常情况时迅速切断电流路径，保护电池和相关电路的安全。这种应用常见于锂电池、铅酸电池等储能设备中。 5. 信号放大与缓冲 在一些信号处理电路中，TK100E08N1,S1X 可以用作信号放大或缓冲元件。它能够增强微弱信号的强度，确保信号在传输过程中不失真。此外，MOSFET 的高输入阻抗特性使其适合用于需要隔离输入和输出信号的应用场景。 总结 Toshiba 的 TK100E08N1,S1X MOSFET 凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换、电池保护以及信号放大等多种领域。它的低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，使得它成为许多电子设备中不可或缺的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 80V 214A TO220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK100E08N1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK100E08N1,S1X |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9000pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | TK100E08N1S1X |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Ta） |
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