ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > TK100E08N1,S1X
Datasheet下载- 型号： TK100E08N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK100E08N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK100E08N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK100E08N1,S1X封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 80V 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220。您可以下载TK100E08N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK100E08N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 80V 214A TO220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK100E08N1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK100E08N1,S1X |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9000pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | TK100E08N1S1X |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Ta） |
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