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Datasheet下载- 型号： TIP35CP
- 制造商： STMicroelectronics
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TIP35CP产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TIP35CP由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TIP35CP价格参考。STMicroelectronicsTIP35CP封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 25A 3MHz 125W 通孔 TO-3P。您可以下载TIP35CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TIP35CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的TIP35CP是一种NPN型双极性晶体管（BJT），属于大功率晶体管，广泛应用于需要高电流和高电压处理能力的场景。以下是其主要应用场景： 1. 功率放大器：TIP35CP可用于音频功率放大器中，作为输出级驱动扬声器，提供足够的电流和功率以满足高保真音频需求。 2. 开关应用：在需要大电流控制的电路中，如继电器驱动、电机启动或电磁阀控制，TIP35CP可以充当开关元件，通过小电流控制大电流负载。 3. 电源管理：该晶体管适用于直流-直流转换器、线性稳压器等电源管理系统，帮助调节和稳定输出电压。 4. 电机控制：在工业自动化领域，TIP35CP可用于控制小型至中型电机的启停和速度调节，尤其是在需要较大电流驱动的情况下。 5. 照明控制：用于驱动高强度LED灯或卤素灯泡，能够承受较高的功耗，确保照明设备正常工作。 6. 保护电路：在过流保护或短路保护电路中，TIP35CP可以用作关键组件，快速响应并切断异常电流路径，保护整个系统免受损害。 7. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，TIP35CP有助于实现交流电与直流电之间的转换。 由于其出色的电气特性（例如集电极-发射极击穿电压高达100V，连续集电极电流可达15A），TIP35CP非常适合需要高可靠性和高效能表现的应用场合。然而，在实际使用时，必须注意散热设计，以避免因过热导致性能下降或损坏。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PWR NPN 100V 25A TO-3P两极晶体管 - BJT Complementary power transistors |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics TIP35CP- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TIP35CP |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 4V @ 5A，25A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 10 @ 15A，4V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | 497-12717-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF213927?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 125000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 25 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 25A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1mA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 25 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 at 1.5 A at 4 V, 10 at 15 A at 4 V |
| 系列 | TIP35CP |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
