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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TIP32CTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TIP32CTU价格参考。Fairchild SemiconductorTIP32CTU封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 100V 3A 3MHz 2W 通孔 TO-220-3。您可以下载TIP32CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TIP32CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TIP32CTU 是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单个双极晶体管(BJT),具体属于PNP型功率晶体管。该型号具有较高的电流承载能力和耐压特性,适用于多种电力电子应用场合。 应用场景 1. 开关电源: TIP32CTU 由于其高电流和高电压特性,非常适合用于开关电源中的功率级控制。它可以在电源的初级侧或次级侧作为开关元件,用于调节输出电压或电流。 2. 电机驱动: 在电机驱动电路中,TIP32CTU 可以用作驱动大电流负载的开关元件。例如,在直流电机的H桥驱动电路中,它可以与其他NPN晶体管配合使用,实现电机的正反转控制。 3. 音频放大器: TIP32CTU 可以用于音频功放电路中的输出级,提供足够的电流驱动扬声器。其低噪声特性和良好的线性度有助于提高音频信号的质量。 4. 继电器驱动: 在需要驱动大电流继电器的应用中,TIP32CTU 可以作为驱动元件,确保继电器线圈获得足够的工作电流,从而可靠地切换负载。 5. 负载开关: 在需要频繁切换大电流负载的应用中,如LED照明、加热元件等,TIP32CTU 可以作为负载开关,通过外部控制信号来开启或关闭负载电流。 6. 保护电路: TIP32CTU 还可以用于过流保护电路中,当检测到异常电流时,可以通过快速关断晶体管来保护系统免受损坏。 7. 电池管理: 在电池管理系统中,TIP32CTU 可以用于充电和放电控制,确保电池在安全的工作范围内运行,防止过充或过放。 特点总结 - 高电流承载能力:最大集电极电流可达15A,适合大功率应用。 - 高耐压特性:集电极-发射极击穿电压可达60V,适用于较高电压环境。 - 低饱和电压:有助于提高效率,减少功耗。 - 散热性能好:采用TO-220封装,便于安装散热片,提升散热效果。 综上所述,TIP32CTU 在各类需要高电流和高电压控制的应用中表现出色,广泛应用于工业、消费电子和汽车等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP EPITAX -3A-100V TO-220两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor TIP32CTU- |
数据手册 | |
产品型号 | TIP32CTU |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.2V @ 375mA,3A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 10 @ 3A,4V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.214 g |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 3 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 40 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 3 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
电流-集电极截止(最大值) | 200µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
系列 | TIP32 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
集电极—射极饱和电压 | - 1.2 V |
集电极连续电流 | - 3 A |
频率-跃迁 | 3MHz |