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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP 3A 80V HI PWR TO220AB两极晶体管 - BJT 3A 80V 40W PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor TIP32BG- |
数据手册 | |
产品型号 | TIP32BG |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.2V @ 375mA,3A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 10 @ 3A,4V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | TIP32BGOS |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 3 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 40 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 3 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
电流-集电极截止(最大值) | 300µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
系列 | TIP32B |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.2 V |
集电极连续电流 | 3 A |
频率-跃迁 | 3MHz |