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Datasheet下载- 型号： TIP31B
- 制造商： Central Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品参数
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Power |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | 点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |  |
| rohs | 过渡期间 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor TIP31B |
| 产品型号 | TIP31B |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Central Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 最大功率耗散 | 40 W |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
| 系列 | TIP31B |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.2 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |