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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil Darl |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
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产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Fairchild Semiconductor TIP107- |
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产品型号 | TIP107 |
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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2.5V @ 80mA,8A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 3A,4V |
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产品种类 | 达林顿晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 散装 |
单位重量 | 1.214 g |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220AB |
工厂包装数量 | 200 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 8 A |
最大集电极截止电流 | 50 uA |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 200 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
电流-集电极截止(最大值) | 50µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 1000 at 3 A at 4 V, 200 at 8 A at 4 V |
系列 | TIP107 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
集电极—基极电压VCBO | 100 V |
零件号别名 | TIP107_NL |
频率-跃迁 | - |