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  • 型号: TIG065E8-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TIG065E8-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TIG065E8-TL-H价格参考。ON SemiconductorTIG065E8-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TIG065E8-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TIG065E8-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

150A

描述

IGBT 400V ECH8IGBT 晶体管 HIGH POWER SWITCHING

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

-

IGBT类型

-

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor TIG065E8-TL-H-

数据手册

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产品型号

TIG065E8-TL-H

SwitchingEnergy

-

TestCondition

-

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

7V @ 2.5V,100A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

8-ECH

功率-最大值

-

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

-

商标

ON Semiconductor

在25C的连续集电极电流

150 A

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SMD

封装/箱体

ECH-8

工厂包装数量

3000

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 40 C

栅极/发射极最大电压

+/- 4 V

栅极—射极漏泄电流

10 uA

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

400V

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

系列

TIG065E8

输入类型

标准

配置

Single Quad Collector Triple Emitter

集电极—发射极最大电压VCEO

400 V

集电极—射极饱和电压

4.2 V

集电极最大连续电流Ic

150 A

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