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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TF256TH-5-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF256TH-5-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF256TH-5-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TF256TH-5-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TF256TH-5-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | JFET N-CH 1MA 100MW VTFPJFET HIGH POWER SWITCHING |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor TF256TH-5-TL-H- |
数据手册 | |
产品型号 | TF256TH-5-TL-H |
Pd-PowerDissipation | 100 mW |
Pd-功率耗散 | 100 mW |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 2 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 2 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 140 uA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 100mV @ 1µA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 240µA @ 2V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.1pF @ 2V |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | 3-VTFP |
功率-最大值 | 100mW |
功率耗散 | 100 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 3-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | VTFP-3 |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 8,000 |
漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
漏源极电压(Vdss) | - |
漏源电压VDS | 2 V |
电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
电阻-RDS(开) | - |
系列 | TF256TH |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | - 20 V |