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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供T835T-8T由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 T835T-8T价格参考。STMicroelectronicsT835T-8T封装/规格:晶闸管 - TRIAC, TRIAC Alternistor - Snubberless 800V 8A Through Hole TO-220AB。您可以下载T835T-8T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有T835T-8T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRIAC 8A 35MA 800V TO-220AB双向可控硅 8A Snubberless 800Vrrm 900Vrsm 35mA |
产品分类 | 双向可控硅分离式半导体 |
GateTriggerCurrent-Igt | 35 mA |
GateTriggerVoltage-Vgt | 1.3 V |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体闸流管,双向可控硅,STMicroelectronics T835T-8TSnubberless™ |
数据手册 | |
产品型号 | T835T-8T |
三端双向可控硅类型 | 可控硅 - 无缓冲器 |
不重复通态电流 | 60 A |
产品种类 | 双向可控硅 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
保持电流Ih最大值 | 40 mA |
关闭状态漏泄电流(在VDRMIDRM下) | 5 uA |
其它名称 | 497-14002-5 |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 FP |
工厂包装数量 | 50 |
开启状态RMS电流-ItRMS | 8 A |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极触发电压-Vgt | 1.3 V |
栅极触发电流-Igt | 35 mA |
标准包装 | 50 |
电压-断态 | 800V |
电压-栅极触发(Vgt)(最大值) | 1.3V |
电流-不重复浪涌50、60Hz(Itsm) | 60A,63A |
电流-保持(Ih)(最大值) | 40mA |
电流-栅极触发(Igt)(最大值) | 35mA |
电流-通态(It(RMS))(最大值) | 8A |
系列 | T835T-8T |
配置 | 单一 |
额定重复关闭状态电压VDRM | 800 V |