【SiA439EDJ-T1-GE3/规格参数】厂家_SiA439EDJ-T1-GE3中文资料_价格

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型号： SiA439EDJ-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SiA439EDJ-T1-GE3产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6LMOSFET -20V .0165Ohm@4.5V 28A P-Ch G-III
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	- 28 A
品牌	Vishay / Siliconix
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiA439EDJ-T1-GE3TrenchFET®
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产品型号	SiA439EDJ-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	19 W
Pd-功率耗散	19 W
Qg-GateCharge	26.7 nC
Qg-栅极电荷	26.7 nC
RdsOn-漏源导通电阻	42 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	- 0.4 V to - 1 V
Vgsth-栅源极阈值电压	- 0.4 V to - 1 V
上升时间	20 ns
下降时间	25 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2410pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	69nC @ 8V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	16.5 毫欧 @ 5A， 4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PowerPAK® SC-70-6 单
其它名称	SIA439EDJ-T1-GE3DKR
典型关闭延迟时间	95 ns
功率-最大值	19W
包装	Digi-Reel®
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	42 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	PowerPAK® SC-70-6
封装/箱体	SC-70-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	24 S
汲极/源极击穿电压	- 20 V
漏极连续电流	- 28 A
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	28A （Tc）
配置	Single