ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > SZMMSZ2V7T1G
Datasheet下载- 型号： SZMMSZ2V7T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SZMMSZ2V7T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SZMMSZ2V7T1G价格参考。ON SemiconductorSZMMSZ2V7T1G封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 2.7V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载SZMMSZ2V7T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SZMMSZ2V7T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SZMMSZ2V7T1G是一款单个齐纳二极管，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电压稳压：该型号的齐纳二极管常用于电源电路中，作为稳压元件。它可以在输入电压波动的情况下保持输出电压的稳定，确保后级电路工作在安全可靠的电压范围内。例如，在一些低功耗、小型化的电子产品中，如传感器模块、无线通信设备等，可以使用SZMMSZ2V7T1G来提供稳定的参考电压。 2. 过压保护：在电路设计中，为了防止因瞬态高压或浪涌电流对敏感电子元件造成损害，可以利用齐纳二极管的反向击穿特性来进行过压保护。当电路中的电压超过设定值时，齐纳二极管导通，将多余的能量泄放到地线，从而保护其他元器件不受损坏。比如在汽车电子系统中，面对复杂的电气环境，这种保护功能尤为重要。 3. 信号箝位：在模拟信号处理和数字信号传输过程中，有时需要对信号幅度进行限制，以避免超出规定范围而引起失真或其他问题。此时可以采用齐纳二极管实现信号箝位作用，确保信号始终保持在合适的电平区间内。例如，在音频放大器或数据采集卡的设计中，SZMMSZ2V7T1G可以帮助维持信号质量并减少干扰。 4. 温度补偿：某些特殊应用场合下，要求电路具有良好的温度特性。由于齐纳二极管的反向击穿电压会随着温度变化而略有不同，因此可以通过合理选择参数来抵消温度带来的影响。例如，在精密测量仪器或者高可靠性工业控制系统中，使用SZMMSZ2V7T1G有助于提高整体性能。 总之，ON Semiconductor的SZMMSZ2V7T1G凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，在众多领域发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD123稳压二极管 ZEN REG 0.5W 2.7V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor SZMMSZ2V7T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SZMMSZ2V7T1G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 20 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 100 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.9 V at 10 mA |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 2.7V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ2V7 |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 100 欧姆 |
| 齐纳电压 | 2.7 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |
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