数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SZMMBZ12VALT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SZMMBZ12VALT1G价格参考。ON SemiconductorSZMMBZ12VALT1G封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载SZMMBZ12VALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SZMMBZ12VALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的型号SZMMBZ12VALT1G是一款TVS(瞬态电压抑制器)二极管,主要用于保护电子电路免受瞬态过压事件的影响。以下是其主要应用场景: 1. 电源保护 - SZMMBZ12VALT1G可用于保护直流电源输入端口,防止因电感负载开关、雷击感应或ESD(静电放电)引起的电压尖峰损坏电路。 - 典型应用包括汽车电子、工业设备和消费类电子产品中的电源接口。 2. 数据线保护 - 该器件适用于USB、RS-232、RS-485等通信接口的数据线保护,能够有效抑制快速瞬态电压波动。 - 它可以防止因外部干扰或电缆插拔时产生的静电放电对敏感芯片造成损害。 3. 信号线路保护 - 在音频、视频或其他低速信号传输线路中,SZMMBZ12VALT1G可提供可靠的过压保护,确保信号完整性。 - 特别适合需要高可靠性的医疗设备、安防监控系统等。 4. 汽车电子应用 - 在汽车环境中,由于点火开关、电机启动或继电器切换可能产生较大的电压浪涌,该TVS二极管可用来保护控制模块和传感器电路。 - 常见于车载信息娱乐系统、CAN总线和其他车载网络。 5. 消费类电子产品 - 用于手机充电器、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的接口保护,避免因不当使用或环境因素导致的损坏。 - 还可用于家用电器的控制板,提高产品的耐用性和安全性。 性能特点: - 反向击穿电压:12V,适合低压电路保护。 - 峰值脉冲功率:600W(典型值),可承受较高的瞬态能量。 - 快速响应时间:纳秒级,能够迅速抑制瞬态电压。 - 低电容设计:对信号失真影响较小,适合高速数据线路。 总之,SZMMBZ12VALT1G凭借其出色的性能和可靠性,广泛应用于各种需要过压保护的场景,特别是在要求高稳定性和安全性的工业、汽车和消费类电子领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23-3TVS二极管阵列 ZEN REG .225W 12V |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor SZMMBZ12VALT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | SZMMBZ12VALT1G |
不同频率时的电容 | - |
产品种类 | TVS二极管阵列 |
供应商器件封装 | SOT-23 |
功率-峰值脉冲 | 40W |
包装 | 带卷 (TR) |
单向通道 | 2 |
双向通道 | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
应用 | 通用 |
标准包装 | 3,000 |
电压-击穿(最小值) | 11.4V |
电压-反向关态(典型值) | 8.5V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 17V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 2.35A |
电源线路保护 | 无 |
类型 | 齐纳 |
系列 | MMBZ12V |