ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > SZBZX84C75ET1G
Datasheet下载- 型号： SZBZX84C75ET1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SZBZX84C75ET1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SZBZX84C75ET1G价格参考。ON SemiconductorSZBZX84C75ET1G封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 75V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SZBZX84C75ET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SZBZX84C75ET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SZBZX84C75ET1G是一款单齐纳二极管，广泛应用于各种电子电路中，主要用于电压稳压、过压保护和参考电压等场景。以下是该型号的具体应用场景： 1. 电压稳压 SZBZX84C75ET1G的主要功能之一是提供稳定的电压输出。它可以在电源电路中作为稳压元件，确保负载端的电压保持在设定值附近。例如，在电源管理电路中，它可以与电阻分压器配合使用，将输入电压稳定在7.5V左右，适用于对电压要求较为严格的设备，如传感器、微控制器等。 2. 过压保护 在一些敏感电路中，防止电压过高是非常重要的。SZBZX84C75ET1G可以用于过压保护电路，当输入电压超过其齐纳电压（7.5V）时，二极管导通，将多余的电压泄放到地，从而保护后级电路免受损坏。这种应用场景常见于通信设备、工业控制系统的电源输入端，以防止瞬态高压冲击。 3. 参考电压源 由于齐纳二极管具有较为稳定的反向击穿电压特性，SZBZX84C75ET1G可以用作精密参考电压源。在需要高精度电压基准的应用中，如模拟电路中的比较器、ADC/DAC电路等，该二极管可以提供一个稳定的7.5V参考电压，确保测量或转换的准确性。 4. 浪涌抑制 在电力系统或其他容易受到电压波动影响的环境中，SZBZX84C75ET1G可以用于抑制瞬态电压浪涌。它能够在短时间内吸收较大的能量，防止浪涌电压对敏感元件造成损害。这种应用场景常见于汽车电子、家电产品等。 5. 温度补偿 齐纳二极管的齐纳电压会随着温度变化而略有漂移，但某些应用中可以通过合理的电路设计进行温度补偿。例如，在温度传感器电路中，SZBZX84C75ET1G可以与其他温度敏感元件结合使用，确保在整个工作温度范围内电压输出的稳定性。 综上所述，ON Semiconductor的SZBZX84C75ET1G齐纳二极管凭借其稳定的7.5V齐纳电压，广泛应用于电压稳压、过压保护、参考电压源、浪涌抑制和温度补偿等多种场景，适用于各种对电压稳定性有较高要求的电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 75V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SZBZX84C75ET1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 52.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 75V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 255 欧姆 |
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